半導體製程 ppb 級氣體監測：CO、NOx、SO₂、O₃ 與碳氫化合物選型
半導體製程需要追蹤低濃度 CO、NOx、SO₂、O₃ 或碳氫化合物時，選型重點是目標濃度、氣體組成與取樣條件。增誠科技已有將空品分析儀應用於半導體製程氣體量測的銷售經驗，可依實際測點評估分析儀、採樣及資料整合配置。
先依測項選機型，再核對 ppb 需求
ENVEA 提供不同量測原理的分析儀。以下整理原廠目前公開型錄的標準測項、量程與檢出限，方便先縮小選型範圍。
| 目標氣體／機型 | 量測原理 | 型錄量程 | 型錄檢出限 |
|---|---|---|---|
| NO／NO₂／NOx：AC32e | 化學發光法 | 0–1 ppm／0–10 ppm | LDL <0.1 ppb |
| SO₂：AF22e | 紫外螢光法 | 0–1 ppm／0–10 ppm | LDL <0.3 ppb |
| CO：CO12e | 氣體濾波相關紅外線法（GFC–NDIR） | 0–50 ppm；另可設定 0–300 ppm | 0.04 ppm，即 40 ppb |
| O₃：O342e | 紫外 LED 光度法 | 0–10 ppm，自動量程 | 0.2 ppb |
| THC；CH₄／NMHC 依配置：HC51M | 火焰離子化偵測（FID） | 0–10 ppm／0–1,000 ppm | 0.05 ppm，即 50 ppb |
量程是儀器涵蓋的濃度範圍，檢出限是辨識低濃度訊號的指標，兩者也不等於現場量測準確度。1 ppm＝1,000 ppb；例如 CO12e 的 40 ppb 檢出限，不能解讀為可可靠定量 1 ppb CO。表列依 AC32e 2026-01-30、AF22e 2025-12-05、CO12e 2026-02-02、O342e 2026-02-02（DS-4）、HC51M 2026-03-09（DS-2）型錄，採購時依供應版本確認。
HC51M：先確認總碳氫、甲烷與非甲烷需求
HC51M 以 FID 量測碳氫化合物，原廠提供 THC 總碳氫版本，以及搭配轉換器的 THC／CH₄／NMHC 版本。若要追蹤碳氫總量並區分甲烷與非甲烷，應在選型時指定配置；它提供的是這些量測指標，不會逐一辨識所有 VOC 化學成分。
HC51M 配置需確認氫氣與助燃空氣供應，並核對背景氣、採樣防冷凝、校正氣及結果的濃度表示基準。原廠另列純氧或純 CO₂ 的特殊版本，這類背景氣須按對應版本評估。型錄的 50 ppb 檢出限也不能直接當成任一 VOC 物種的保證檢出能力。
製程取樣要一起確認的四件事
- 濃度與目的：提供正常濃度、可能峰值，以及希望辨識的最小變化；分清連續趨勢、製程控制或其他監測用途。
- 氣體組成：列出目標成分、背景氣與可能共存物。原廠空品規格不能直接視為所有製程氣體基質下的保證值。
- 採樣條件：確認測點壓力、溫度、含水、粉塵及管線長度，再選擇取樣、調壓或前處理方式；前處理也要評估是否改變待測成分。
- 資料與維護：確認所需反應時間、取樣點數、零氣／標準氣、校正方式及既有資料介面，讓分析儀配置符合現場工作流程。
製程低濃度氣體與微量氧如何區分？
本篇的 CO、NOx、SO₂、O₃ 與碳氫化合物是不同測項；若需求是高純氣體或製程中的殘留氧 O₂，請改看 半導體應用頁的 TORAY 微量氧分析儀入口。AC32e 的 NH₃、AF22e 的 H₂S／TRS，以及 CO12e 的 CO₂ 均需對應選配，不能直接套用標準測項的檢出限。
提供測點條件，開始規劃半導體氣體監測
請準備「目標氣體、預期濃度與峰值、背景氣、測點溫壓、含水、採樣距離、資料介面」，由增誠科技協助核對配置。洽詢半導體 ppb 級氣體監測，或先查看半導體產業應用與相關產品。